Hey Elektronik-Freaks! Dieser N-MOSFET von Texas Instruments ist ein echter Power-MOSFET. 60V Drain-Source Spannung, satte 200A Drainstrom! Verlustleistung 300W - damit kannst du was bewegen. TO220-3 Gehäuse, perfekt für THT-Montage. Nur 1,6mΩ Widerstand im Leitungszustand - super effizient! Gate-Source Spannung ±20V, Gate-Ladung 63nC. Kommt im Tube, Kühlkörper 1,14-1,4mm dick. Einfach einlöten und volle Leistung nutzen. Perfekt für Schaltnetzteile, Motorsteuerungen oder Verstärker. Ein echter Arbeitstier - robust und zuverlässig. Einfach bestellen und dein Projekt aufs nächste Level bringen!